L'équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma PECVD est principalement utilisé pour la croissance de films minces de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium dans un environnement propre et sous vide ; il utilise la technologie de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à une ou deux fréquences et constitue un choix idéal pour le dépôt de films de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium de haute qualité. L'équipement tire parti de la basse température et de la faible consommation d'énergie, génère un plasma de haute densité dans la chambre de réaction, excite efficacement les molécules de gaz, favorise les réactions chimiques et dépose des couches minces uniformes, denses et bien adhérentes sur la surface du substrat. Le processus PECVD permet non seulement de contrôler avec précision l'épaisseur du film, mais aussi d'améliorer la qualité de l'interface et la stabilité structurelle globale de la couche de film. Il est donc largement utilisé dans la fabrication de circuits intégrés, d'écrans plats, de cellules solaires et d'autres dispositifs microélectroniques. En outre, l'équipement est généralement équipé d'un système de contrôle automatisé permettant de contrôler avec précision des paramètres clés tels que la température, la pression et le débit de gaz, ce qui améliore l'efficacité de la production et l'homogénéité du produit et permet de répondre aux normes élevées de qualité du film en fonction des différentes exigences du processus.

L'équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma PECVD est principalement utilisé pour la croissance de films de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium dans un environnement propre et sous vide ; il utilise la technologie de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à une ou deux fréquences et constitue un équipement idéal pour le dépôt de films de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium de haute qualité. L'équipement tire parti de la basse température et de la faible consommation d'énergie, génère un plasma de haute densité dans la chambre de réaction, excite efficacement les molécules de gaz, favorise les réactions chimiques et dépose des films uniformes, denses et bien adhésifs sur la surface du substrat. Le processus PECVD permet non seulement de contrôler avec précision l'épaisseur du film, mais aussi d'améliorer la qualité de l'interface et la stabilité structurelle globale de la couche de film. Il est donc largement utilisé dans la fabrication de circuits intégrés, d'écrans plats, de cellules solaires et d'autres dispositifs microélectroniques. En outre, l'équipement est généralement équipé d'un système de contrôle automatisé permettant de contrôler avec précision des paramètres clés tels que la température, la pression et le débit de gaz, ce qui améliore l'efficacité de la production et l'homogénéité du produit et permet de répondre aux normes élevées de qualité du film en fonction des différentes exigences du processus.

Utilisation de l'équipement et caractéristiques fonctionnelles
1. L'équipement est un équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) sous vide poussé à une ou deux fréquences pour films minces, qui est principalement utilisé pour préparer des films de nitrure de silicium et d'oxyde de silicium.
2. L'équipement possède de solides fonctions de protection, notamment la détection et la protection du système de vide, la détection et la protection de la pression de l'eau, la détection et la protection de la séquence des phases, ainsi que la détection et la protection de la température.
3. Équipé d'un dispositif de traitement des gaz d'échappement.
Conception de la sécurité des équipements
1. Détection et protection des réseaux électriques
2. Régler la fonction de détection du vide et de protection contre les alarmes
3. Détection de la température et protection contre les alarmes
4. Détection de pression, détection de débit et protection par alarme du système de circulation d'eau de refroidissement
5. Le circuit du gaz de traitement contient un dispositif anti-contamination croisée

L'équipement est divisé en équipement PECVD à chambre unique et à chambres multiples. La situation réelle dépend des résultats personnalisés demandés par le client.