Presentación de las características del equipo
El equipo de deposición química en fase vapor a baja presión LPCVD (investigación científica LPCVD) deposita diversas películas funcionales (principalmente películas de Si₃N₄, SiO₂ y polisilicio) sobre sustratos mediante epitaxia en fase vapor de reacción química en condiciones de baja presión y alta temperatura. Puede utilizarse en investigación científica, desarrollo de procesos y producción de prueba de lotes pequeños. El equipo suele adoptar un sistema de control de temperatura de alta precisión para garantizar el crecimiento uniforme y estable de la película a altas temperaturas; y coopera con el flujo de gas programable y el control de presión de la cámara de reacción para lograr un ajuste preciso del espesor de la película, la tensión y las propiedades eléctricas. El cuerpo principal del equipo suele estar equipado con tubos de horno de calentamiento de varias secciones para satisfacer los requisitos de proceso de diferentes materiales y diferentes gradientes de temperatura. También tiene las características de alto grado de automatización, monitorización y registro exhaustivo de datos y buena repetibilidad del proceso, proporcionando una plataforma fiable para la investigación y desarrollo de nuevos materiales y la preparación de dispositivos microelectrónicos.
muestras procesadas
El equipo de deposición química en fase vapor a baja presión LPCVD (LPCVD de investigación) deposita diversas películas funcionales (principalmente películas de Si3N4, SiO2 y polisilicio) sobre sustratos mediante epitaxia en fase vapor de reacción química en condiciones de baja presión y alta temperatura. Puede utilizarse para la investigación científica, la enseñanza práctica y la fabricación de pequeños dispositivos.
Estructura y características del equipo
1. Miniaturización, cómodo funcionamiento y uso en el laboratorio, lo que reduce considerablemente los costes experimentales.
Dos tamaños de sustrato de 2 ó 4 pulgadas; se cargan de 1 a 3 piezas cada vez.
Método de colocación del sustrato: se configuran tres tipos de soportes de sustrato, vertical, horizontal y con un ángulo.
Tipo de forma del sustrato: piezas sueltas de forma irregular, sustratos estándar de φ2 a 4 pulgadas.
2. El equipo es una estructura horizontal de tubo horizontal
Consta de una cámara de reacción de tubo de cuarzo, un armario de horno de blindaje térmico, un sistema de control eléctrico, un sistema de vacío, un sistema de circuito de gas, un sistema de control de temperatura, un sistema de control de presión y un armario de cilindro de gas.
La cámara de reacción está hecha de cuarzo de alta pureza, que es resistente a la corrosión, anticontaminación, tiene un bajo índice de fugas y es adecuada para el uso a alta temperatura; la parte de control electrónico del equipo adopta un sistema avanzado de detección y control, con valores precisos y un funcionamiento estable y fiable.
3. El sistema proporciona un control automático y un dispositivo libre de polvo
Equipo de deposición química en fase vapor a baja presión LPCVD (tipo de producción LPCVD)
Función del equipo
El equipo deposita diversas películas funcionales (principalmente películas de Si3N4, SiO2 y polisilicio) sobre el sustrato mediante epitaxia en fase de vapor por reacción química en condiciones de baja presión y alta temperatura.
Se pueden proporcionar procesos de revestimiento relacionados.
Estructura y características del equipo:
El equipo es una estructura horizontal de tubo horizontal, que consta de una cámara de reacción de tubo de cuarzo, un armario de horno con cubierta de aislamiento térmico, un sistema de control eléctrico, un sistema de vacío, un sistema de circuito de gas, un sistema de control de temperatura, un sistema de control de presión y un armario de cilindro de gas.
La cámara de reacción está hecha de cuarzo de alta pureza, que es resistente a la corrosión, anticontaminación, tiene un bajo índice de fugas y es adecuada para el uso a alta temperatura; la parte de control electrónico del equipo adopta un sistema avanzado de detección y control, con valores precisos y un funcionamiento estable y fiable.
Todo el proceso está gestionado por un ordenador, que supervisa y controla automáticamente parámetros del proceso como la temperatura del horno, el caudal de gas, la presión, la acción de las válvulas, la apertura y cierre de las bombas, etc. También puede controlarse manualmente.
| Tipo | Parámetro |
| Tipos de película | Si₃N₄, Poli-Si, SiO₂, etc. |
| Temperatura máxima | 1200°C |
| Temperatura constante Longitud de la zona | Configurado según las necesidades del usuario |
| Precisión del control de temperatura en zona constante | ≤±0.5°C |
| Rango de presión de trabajo | 13~1330Pa |
| Falta de uniformidad de la película | ≤±5% |
| Capacidad de carga del sustrato | Sustratos estándar: 1~3 piezas; múltiples obleas de tamaño irregular. |
| Control de la presión | Control de llenado de gas en bucle cerrado |
| Método de carga | Carga/descarga manual de muestras |
| Tipo | Parámetro |
| Tipos de película | Si₃N₄, Poli-Si, SiO₂, etc. |
| Temperatura máxima | 1200°C |
| Temperatura constante Longitud de la zona | Configurado según las necesidades del usuario |
| Precisión del control de temperatura en zona constante | ≤±0.5°C |
| Rango de presión de trabajo | 13~1330Pa |
| Falta de uniformidad de la película | ≤±5% |
| Capacidad de carga de sustrato por lote | 100 obleas |
| Potencia total | 16 kW |
| Consumo de agua de refrigeración | 2 m³/h |
| Control de la presión | Control de llenado de gas en bucle cerrado |
| Método de carga | Carga automática de embarcaciones |




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