Équipement de dépôt chimique en phase vapeur basse pression GSTXCVD LPCVD
Présentation des caractéristiques de l'équipement
L'équipement de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression LPCVD (recherche scientifique LPCVD) dépose divers films fonctionnels (principalement des films Si₃N₄, SiO₂ et Poly silicium) sur des substrats par épitaxie en phase vapeur à réaction chimique dans des conditions de basse pression et de haute température. Il peut être utilisé pour la recherche scientifique, le développement de processus et la production d'essais en petites séries. L'équipement adopte généralement un système de contrôle de la température de haute précision pour garantir une croissance uniforme et stable du film à haute température ; il coopère avec un flux de gaz programmable et un contrôle de la pression de la chambre de réaction pour parvenir à un ajustement précis de l'épaisseur du film, de la tension et des propriétés électriques. Le corps principal de l'équipement est souvent équipé de tubes de four de chauffage à sections multiples pour répondre aux exigences de traitement de différents matériaux et de différents gradients de température. Il présente également les caractéristiques suivantes : degré élevé d'automatisation, contrôle et enregistrement complets des données, bonne répétabilité des processus, ce qui en fait une plate-forme fiable pour la recherche et le développement de nouveaux matériaux et la préparation de dispositifs microélectroniques.
L'équipement de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression LPCVD (recherche LPCVD) dépose divers films fonctionnels (principalement des films Si3N4, SiO2 et Poly silicium) sur des substrats par épitaxie en phase vapeur à réaction chimique dans des conditions de basse pression et de haute température. Il peut être utilisé pour la recherche scientifique, l'enseignement pratique et la fabrication de petits appareils.
Structure et caractéristiques de l'équipement
1. Miniaturisation, fonctionnement et utilisation pratiques en laboratoire, réduction considérable des coûts d'expérimentation
Deux tailles de substrat de 2 pouces ou 4 pouces ; 1 à 3 pièces sont chargées à chaque fois.
Méthode de mise en place du substrat : trois types de supports de substrat sont configurés : vertical, horizontal et avec un angle.
Type de substrat : pièces détachées de forme irrégulière, substrats standard de φ2 à 4 pouces.
2. L'équipement est une structure horizontale à tubes
Il se compose d'une chambre de réaction à tubes de quartz, d'une armoire de four à bouclier thermique, d'un système de contrôle électrique, d'un système de vide, d'un système de circuit de gaz, d'un système de contrôle de la température, d'un système de contrôle de la pression et d'une armoire de bouteilles de gaz.
La chambre de réaction est fabriquée en quartz de haute pureté, résistant à la corrosion, antipollution, avec un faible taux de fuite et adapté à une utilisation à haute température ; la partie électronique de l'équipement adopte un système de détection et de contrôle avancé, avec des valeurs précises, des performances stables et fiables.
3. Le système assure un contrôle automatique et un dispositif anti-poussière
Équipement de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression LPCVD (type de production LPCVD)
Fonction de l'équipement
L'équipement dépose divers films fonctionnels (principalement des films Si3N4, SiO2 et Poly silicium) sur le substrat par épitaxie en phase vapeur par réaction chimique dans des conditions de basse pression et de haute température.
Des procédés de revêtement connexes peuvent être fournis.
Structure et caractéristiques de l'équipement :
L'équipement est une structure horizontale à tubes, composée d'une chambre de réaction à tubes de quartz, d'une armoire de four à couvercle d'isolation thermique, d'un système de contrôle électrique, d'un système de vide, d'un système de circuit de gaz, d'un système de contrôle de la température, d'un système de contrôle de la pression et d'une armoire de bouteilles de gaz.
La chambre de réaction est fabriquée en quartz de haute pureté, résistant à la corrosion, antipollution, avec un faible taux de fuite et adapté à une utilisation à haute température ; la partie électronique de l'équipement adopte un système de détection et de contrôle avancé, avec des valeurs précises, des performances stables et fiables.
L'ensemble du processus est géré par un ordinateur qui surveille et contrôle automatiquement les paramètres du processus tels que la température du four, le débit de gaz, la pression, l'action des vannes, l'ouverture et la fermeture des pompes, etc. Il peut également être contrôlé manuellement.
| Type | Paramètre |
| Types de films | Si₃N₄, Poly-Si, SiO₂, etc. |
| Température maximale | 1200°C |
| Longueur de la zone à température constante | Configuré selon les besoins de l'utilisateur |
| Précision du contrôle de la température en zone constante | ≤±0.5°C |
| Plage de pression de travail | 13～1330Pa |
| Non-uniformité du film | ≤±5% |
| Capacité de chargement du substrat | Substrats standard : 1～3 pièces ; plusieurs plaquettes de taille irrégulière |
| Contrôle de la pression | Contrôle du remplissage de gaz en boucle fermée |
| Méthode de chargement | Chargement/déchargement manuel des échantillons |
| Type | Paramètre |
| Types de films | Si₃N₄, Poly-Si, SiO₂, etc. |
| Température maximale | 1200°C |
| Longueur de la zone à température constante | Configuré selon les besoins de l'utilisateur |
| Précision du contrôle de la température en zone constante | ≤±0.5°C |
| Plage de pression de travail | 13～1330Pa |
| Non-uniformité du film | ≤±5% |
| Capacité de chargement de substrat par lot | 100 gaufrettes |
| Puissance totale | 16kW |
| Consommation d'eau de refroidissement | 2m³/h |
| Contrôle de la pression | Contrôle du remplissage de gaz en boucle fermée |
| Méthode de chargement | Chargement automatique des bateaux |
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