Thiết bị lắng đọng hóa học từ pha hơi áp suất thấp (LPCVD) và lắng đọng hóa học từ pha hơi áp suất cao (GSTXCVD)
Giới thiệu các đặc tính của thiết bị
Thiết bị lắng đọng hóa học từ pha hơi áp suất thấp (LPCVD) (dùng cho nghiên cứu khoa học) tạo ra các lớp màng chức năng khác nhau (chủ yếu là Si₃N₄, SiO₂ và màng poly silic) trên các chất nền thông qua quá trình epitaxy pha hơi hóa học trong điều kiện áp suất thấp và nhiệt độ cao. Thiết bị này có thể được ứng dụng trong nghiên cứu khoa học, phát triển quy trình và sản xuất thử nghiệm với số lượng nhỏ. Thiết bị thường sử dụng hệ thống kiểm soát nhiệt độ chính xác cao để đảm bảo sự phát triển đồng đều và ổn định của màng ở nhiệt độ cao; đồng thời kết hợp với hệ thống điều khiển lưu lượng khí và áp suất buồng phản ứng có thể lập trình để điều chỉnh chính xác độ dày, ứng suất và tính chất điện của màng. Phần thân chính của thiết bị thường được trang bị các ống lò gia nhiệt nhiều đoạn để đáp ứng yêu cầu quy trình của các vật liệu khác nhau và các gradient nhiệt độ khác nhau. Thiết bị cũng có các đặc điểm như độ tự động hóa cao, giám sát và ghi chép dữ liệu toàn diện, cùng khả năng lặp lại quy trình tốt, cung cấp một nền tảng đáng tin cậy cho nghiên cứu và phát triển vật liệu mới cũng như chế tạo các thiết bị vi điện tử.
Thiết bị lắng đọng hóa học từ pha hơi áp suất thấp (LPCVD) (dành cho nghiên cứu) tạo ra các lớp màng chức năng khác nhau (chủ yếu là Si₃N₄, SiO₂ và màng poly silic) trên các chất nền thông qua quá trình epitaxy pha hơi hóa học trong điều kiện áp suất thấp và nhiệt độ cao. Thiết bị này có thể được sử dụng cho nghiên cứu khoa học, giảng dạy thực hành và sản xuất các thiết bị quy mô nhỏ.
Cấu trúc và tính năng của thiết bị
1. Kích thước nhỏ gọn, dễ dàng vận hành và sử dụng trong phòng thí nghiệm, giúp giảm đáng kể chi phí thí nghiệm
Có hai kích thước đế là 2 inch hoặc 4 inch; mỗi lần nạp từ 1 đến 3 miếng.
Phương pháp lắp đặt giá đỡ: có ba loại giá đỡ được thiết kế, bao gồm loại thẳng đứng, loại ngang và loại nghiêng.
Loại hình dạng vật liệu nền: các mảnh rời có hình dạng không đều, vật liệu nền tiêu chuẩn có đường kính từ 2 đến 4 inch.
2. Thiết bị này có cấu trúc dạng ống nằm ngang
Nó bao gồm buồng phản ứng dạng ống thạch anh, tủ lò có lớp cách nhiệt, hệ thống điều khiển điện, hệ thống chân không, hệ thống mạch khí, hệ thống điều khiển nhiệt độ, hệ thống điều khiển áp suất và tủ chứa bình khí.
Buồng phản ứng được chế tạo từ thạch anh có độ tinh khiết cao, có khả năng chống ăn mòn, chống ô nhiễm, tỷ lệ rò rỉ thấp và phù hợp để sử dụng ở nhiệt độ cao; bộ phận điều khiển điện tử của thiết bị áp dụng hệ thống phát hiện và điều khiển tiên tiến, với các thông số chính xác, hiệu suất ổn định và đáng tin cậy.
3. Hệ thống này cung cấp chức năng điều khiển tự động và thiết bị chống bụi
Thiết bị lắng đọng hóa học từ pha khí áp suất thấp (LPCVD) (loại dùng trong sản xuất)
Chức năng của thiết bị
Thiết bị này phủ các lớp màng chức năng khác nhau (chủ yếu là các lớp màng Si₃N₄, SiO₂ và poly silic) lên chất nền bằng phương pháp epitaxy pha hơi hóa học (CVD) trong điều kiện áp suất thấp và nhiệt độ cao.
Có thể cung cấp các quy trình phủ liên quan.
Cấu trúc và tính năng của thiết bị:
Thiết bị này có cấu trúc dạng ống nằm ngang, bao gồm buồng phản ứng bằng ống thạch anh, vỏ lò cách nhiệt, hệ thống điều khiển điện, hệ thống chân không, hệ thống mạch khí, hệ thống điều khiển nhiệt độ, hệ thống điều khiển áp suất và tủ chứa bình khí.
Buồng phản ứng được chế tạo từ thạch anh có độ tinh khiết cao, có khả năng chống ăn mòn, chống ô nhiễm, tỷ lệ rò rỉ thấp và phù hợp để sử dụng ở nhiệt độ cao; bộ phận điều khiển điện tử của thiết bị áp dụng hệ thống phát hiện và điều khiển tiên tiến, với các thông số chính xác, hiệu suất ổn định và đáng tin cậy.
Toàn bộ quy trình được điều khiển bởi máy tính, có chức năng giám sát và tự động điều chỉnh các thông số quy trình như nhiệt độ lò, lưu lượng khí, áp suất, hoạt động của van, việc mở và đóng bơm, v.v. Hệ thống cũng có thể được điều khiển bằng tay.
| Loại | Tham số |
| Các loại phim | Si₃N₄, Poly-Si, SiO₂, v.v. |
| Nhiệt độ cao nhất | 1.200°C |
| Chiều dài vùng nhiệt độ ổn định | Được cấu hình theo yêu cầu của người dùng |
| Độ chính xác của việc điều khiển nhiệt độ trong vùng nhiệt độ ổn định | ≤±0,5°C |
| Phạm vi áp suất làm việc | 13–1.330 Pa |
| Sự không đồng nhất của màng | ≤±5% |
| Khả năng chịu tải của nền | Chất nền tiêu chuẩn: 1–3 miếng; nhiều tấm wafer có kích thước không đều |
| Kiểm soát áp suất | Hệ thống điều khiển nạp khí vòng kín |
| Phương pháp nạp | Tải/dỡ mẫu thủ công |
| Loại | Tham số |
| Các loại phim | Si₃N₄, Poly-Si, SiO₂, v.v. |
| Nhiệt độ cao nhất | 1.200°C |
| Chiều dài vùng nhiệt độ ổn định | Được cấu hình theo yêu cầu của người dùng |
| Độ chính xác của việc điều khiển nhiệt độ trong vùng nhiệt độ ổn định | ≤±0,5°C |
| Phạm vi áp suất làm việc | 13–1.330 Pa |
| Sự không đồng nhất của màng | ≤±5% |
| Khả năng nạp nguyên liệu trên mỗi mẻ | 100 tấm wafer |
| Tổng công suất | 16 kW |
| Lượng nước làm mát tiêu thụ | 2 m³/giờ |
| Kiểm soát áp suất | Hệ thống điều khiển nạp khí vòng kín |
| Phương pháp nạp | Tự động xếp hàng lên tàu |
Các giải pháp sản xuất tiên tiến được khuyến nghị
Khám phá danh mục các thiết bị công nghiệp hiệu suất cao của Greenstone, được thiết kế để hỗ trợ các mục tiêu sản xuất của quý vị trong các lĩnh vực như phủ lớp bằng laser, sản xuất gia công bổ sung DED, làm sạch bằng laser, kỹ thuật xử lý bề mặt, tự động hóa chính xác và xử lý vật liệu tiên tiến. Mỗi giải pháp đều được thiết kế chiến lược nhằm mở rộng năng lực sản xuất, nâng cao hiệu quả quy trình và hỗ trợ sự đổi mới công nghiệp có khả năng mở rộng.
Từ các hệ thống laser mô-đun đến các nền tảng sản xuất thông minh tích hợp toàn diện, Greenstone cung cấp cho khách hàng các giải pháp công nghệ liên kết chặt chẽ, mang lại sự linh hoạt, độ chính xác cao và hiệu quả vận hành vượt trội cho các môi trường sản xuất toàn cầu hiện đại.
