De MOCVD-apparatuur (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) is speciaal ontworpen voor de epitaxiale groei van zeer precieze materialen zoals GaN en ZnO en bevat geavanceerde proces- en besturingstechnologieën. Het maakt gebruik van een ultrazuiver gastoevoersysteem om minimale vervuiling tijdens materiaaltransport te garanderen, terwijl een meerkanaals combinatieventieltechnologie nauwkeurige bronschakeling en -invoer mogelijk maakt. Dankzij het extreem lage dode ruimte-ontwerp van de combinatieklep wordt het residu van de precursor geminimaliseerd, wat cruciaal is voor het bereiken van materialen met steile interfaceprofielen.

Bovendien vermindert drukverschilregeling tussen de bypass- en hoofdgasleidingen fluctuaties in de brondruk en concentratie aanzienlijk, waardoor de herhaalbaarheid en stabiliteit van het proces worden verbeterd. Het systeem heeft ook ingebouwde pijplijngasinjectiesproeiers die een snelle en uniforme menging van de reactieve species op het substraatoppervlak mogelijk maken, waardoor pre-reactie effectief wordt voorkomen en de filmuniformiteit en -kwaliteit worden verbeterd. Daarnaast zorgt een resistieve snelle verwarmings- en koeloven voor een precieze temperatuurregeling met een snelle respons, zodat voldaan wordt aan de strenge eisen van depositieprocessen bij hoge temperaturen. Geïntegreerd met geavanceerde automatisering, realtime bewaking en robuuste veiligheidsmaatregelen, zoals gegevensverwerving, foutdiagnose en afstandsbediening, zorgt het hele systeem voor een efficiënte, stabiele en veilige werking. Met deze uitgebreide technologische voordelen biedt de MOCVD-apparatuur een zeer uniform, herhaalbaar en betrouwbaar platform voor de epitaxiale groei van geavanceerde halfgeleidermaterialen zoals GaN en ZnO.