GSTXCVD LPCVD-Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck
Darstellung der Eigenschaften des Geräts
Mit der LPCVD-Anlage für die chemische Niederdruck-Gasphasenabscheidung (LPCVD für die wissenschaftliche Forschung) werden verschiedene Funktionsschichten (hauptsächlich Si₃N₄-, SiO₂- und Polysiliziumschichten) durch chemische Reaktions-Gasphasenepitaxie unter Niederdruck- und Hochtemperaturbedingungen auf Substrate aufgebracht. Sie kann für die wissenschaftliche Forschung, die Verfahrensentwicklung und die Versuchsproduktion von Kleinserien eingesetzt werden. Die Anlage verfügt in der Regel über ein hochpräzises Temperaturkontrollsystem, um ein gleichmäßiges und stabiles Schichtwachstum bei hohen Temperaturen zu gewährleisten, und arbeitet mit einer programmierbaren Gasfluss- und Reaktionskammerdruckkontrolle zusammen, um eine präzise Einstellung der Schichtdicke, Spannung und elektrischen Eigenschaften zu erreichen. Der Hauptteil der Anlage ist häufig mit mehrteiligen Heizungsrohren ausgestattet, um die Prozessanforderungen verschiedener Materialien und unterschiedlicher Temperaturgradienten zu erfüllen. Das Gerät zeichnet sich außerdem durch einen hohen Automatisierungsgrad, eine umfassende Datenüberwachung und -aufzeichnung sowie eine gute Prozesswiederholbarkeit aus und bietet eine zuverlässige Plattform für die Erforschung und Entwicklung neuer Materialien und die Herstellung mikroelektronischer Bauteile.
Mit der LPCVD-Anlage zur chemischen Niederdruck-Gasphasenabscheidung (Forschungs-LPCVD) werden verschiedene Funktionsschichten (hauptsächlich Si3N4-, SiO2- und Polysiliziumschichten) durch chemische Reaktions-Gasphasenepitaxie unter Niederdruck- und Hochtemperaturbedingungen auf Substraten abgeschieden. Sie kann für die wissenschaftliche Forschung, die praktische Lehre und die Herstellung kleiner Geräte verwendet werden.
Struktur und Merkmale der Ausrüstung
1. Miniaturisierung, bequeme Laborbetrieb und Verwendung, stark reduziert experimentellen Kosten
Zwei Substratgrößen von 2 Zoll oder 4 Zoll; es werden jeweils 1 bis 3 Stück geladen.
Methode zur Platzierung des Substrats: Es gibt drei Arten von Substrathalterungen: vertikal, horizontal und mit einem Winkel.
Form des Substrats: unregelmäßig geformte lose Stücke, φ2 bis 4 Zoll große Standardsubstrate.
2. Das Gerät ist ein horizontales Rohr horizontale Struktur
Sie besteht aus einer Quarzrohr-Reaktionskammer, einem Hitzeschild-Ofenschrank, einem elektrischen Steuerungssystem, einem Vakuumsystem, einem Gaskreislaufsystem, einem Temperatursteuerungssystem, einem Drucksteuerungssystem und einem Gasflaschenschrank.
Die Reaktionskammer besteht aus hochreinem Quarz, der korrosionsbeständig ist, die Verschmutzung verhindert, eine geringe Leckrate aufweist und für den Einsatz bei hohen Temperaturen geeignet ist; die elektronische Steuerung des Geräts verfügt über ein fortschrittliches Erfassungs- und Kontrollsystem mit genauen Werten und einer stabilen und zuverlässigen Leistung.
3. Das System bietet automatische Kontrolle und staubfreies Gerät
LPCVD-Anlagen zur chemischen Niederdruck-Gasphasenabscheidung (Produktionstyp LPCVD)
Funktion der Ausrüstung
Mit der Anlage werden verschiedene Funktionsschichten (hauptsächlich Si3N4-, SiO2- und Polysiliziumschichten) durch chemische Reaktionsdampfphasenepitaxie unter Niederdruck- und Hochtemperaturbedingungen auf dem Substrat abgeschieden.
Entsprechende Beschichtungsverfahren können angeboten werden.
Struktur und Merkmale der Ausrüstung:
Bei der Anlage handelt es sich um eine horizontale Rohrstruktur, die aus einer Quarzrohr-Reaktionskammer, einem wärmeisolierten Deckelofenschrank, einem elektrischen Steuerungssystem, einem Vakuumsystem, einem Gaskreissystem, einem Temperatursteuerungssystem, einem Drucksteuerungssystem und einem Gasflaschenschrank besteht.
Die Reaktionskammer besteht aus hochreinem Quarz, der korrosionsbeständig ist, die Verschmutzung verhindert, eine geringe Leckrate aufweist und für den Einsatz bei hohen Temperaturen geeignet ist; die elektronische Steuerung des Geräts verfügt über ein fortschrittliches Erfassungs- und Kontrollsystem mit genauen Werten und einer stabilen und zuverlässigen Leistung.
Der gesamte Prozess wird von einem Computer gesteuert, der Prozessparameter wie Ofentemperatur, Gasdurchfluss, Druck, Ventilbetätigung, Öffnen und Schließen der Pumpe usw. überwacht und automatisch regelt. Er kann auch manuell gesteuert werden.
| Typ | Parameter |
| Filmtypen | Si₃N₄, Poly-Si, SiO₂, etc. |
| Maximale Temperatur | 1200°C |
| Länge der Zone mit konstanter Temperatur | Konfiguriert nach den Anforderungen der Benutzer |
| Temperaturregelungsgenauigkeit in der konstanten Zone | ≤±0.5°C |
| Arbeitsdruckbereich | 13～1330Pa |
| Ungleichmäßigkeit des Films | ≤±5% |
| Belastbarkeit des Substrats | Standard-Substrate: 1～3 Stück; mehrere unregelmäßig große Wafer |
| Druckkontrolle | Steuerung der Gasfüllung im geschlossenen Kreislauf |
| Ladeverfahren | Manuelles Laden/Entladen von Proben |
| Typ | Parameter |
| Filmtypen | Si₃N₄, Poly-Si, SiO₂, etc. |
| Maximale Temperatur | 1200°C |
| Länge der Zone mit konstanter Temperatur | Konfiguriert nach den Anforderungen der Benutzer |
| Temperaturregelungsgenauigkeit in der konstanten Zone | ≤±0.5°C |
| Arbeitsdruckbereich | 13～1330Pa |
| Ungleichmäßigkeit des Films | ≤±5% |
| Substratladekapazität pro Charge | 100 Waffeln |
| Gesamtleistung | 16kW |
| Verbrauch von Kühlwasser | 2m³/h |
| Druckkontrolle | Steuerung der Gasfüllung im geschlossenen Kreislauf |
| Ladeverfahren | Automatisches Beladen von Booten |
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