Anlagen zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD)
Bieten Sie maßgeschneiderte Gesamtlösungen für Additive Fertigung und Oberflächenbehandlung von Hochleistungsmetallen entsprechend den Kundenbedürfnissen, um den höheren Anforderungen der Kunden an eine fortschrittliche Fertigungstechnologie gerecht zu werden
Kategorie Ausrüstungen
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GSTXCVD MOCVD Metallorganische chemische Gasphasenabscheidungsausrüstung
MOCVD-Anlagen (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) werden hauptsächlich für das epitaktische Wachstum von Verbindungshalbleitermaterialien wie GaN, GaAs und InP verwendet. Durch präzise...

GSTXCVD VHTCVD Vakuum-Hochtemperatur-CVD-Ofenausrüstung
Der Vakuum-Hochtemperatur-CVD-Ofen nutzt die chemische Gasphasenabscheidung bei hohen Temperaturen, um verschiedene dünne Schichten auf der Oberfläche des Werkstücks abzuscheiden. Er ist...

GSTXCVD LPCVD-Anlage zur chemischen Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck
LPCVD-Anlagen für die chemische Niederdruck-Gasphasenabscheidung (wissenschaftliche Forschung LPCVD) scheiden verschiedene Funktionsschichten (hauptsächlich Si₃N₄-, SiO₂- und Polysiliziumschichten) auf Substraten durch chemische Reaktion ab...

GSTXCVD PECVD Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsanlage
PECVD-Anlagen zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung werden hauptsächlich für das Wachstum von Siliziumnitrid- und Siliziumoxid-Dünnschichten in einem sauberen Vakuum...

GSTXCVD HFCVD Heißdraht-Chemische Gasphasenabscheidungsanlage
Wir haben Heißdraht-CVD-Diamantanlagen entwickelt, konstruiert und hergestellt, die in zwei Typen unterteilt sind: Versuchsanlagen und Produktionsanlagen. Die Ausrüstung ist...

GSTXCVD CVD/PECVD-Abscheidungsausrüstung
CVD bezieht sich auf eine Gasphasenreaktion bei hoher Temperatur, wie z. B. die thermische Zersetzung von Metallhalogeniden, organischen Metallen, Kohlenwasserstoffen usw., Wasserstoffreduktion oder...

GSTCVD-SiC(BN) Horizontaler Ofen zur chemischen Gasphasenabscheidung (SiC, BN)
Der horizontale Ofen für die chemische Gasphasenabscheidung (SiC, BN) kann für die Oberflächenbeschichtung von Materialien, die Änderung von Substraten, die Vorbereitung von Verbundwerkstoffen usw. verwendet werden. Hauptsächlich verwendet in der thermischen...

Quadratische, runde, vertikale oder horizontale Struktur (nicht standardmäßiges Design und Anpassung) GST-CVD1600 Induktionsheizung CVD-Chemische Gasphasenabscheidungsofenausrüstung
Der CVD-Ofen für die chemische Gasphasenabscheidung ist ein wichtiges Gerät für die Herstellung von C/C-Verbundwerkstoffen, die in der Luft- und Raumfahrt, im Verteidigungsbereich,...

GST-CVD1200 Induktionsheizung CVD-Ofenausrüstung für chemische Gasphasenabscheidung
Der CVD-Ofen für die chemische Gasphasenabscheidung ist ein wichtiges Gerät für die Herstellung von C/C-Verbundwerkstoffen, die in der Luft- und Raumfahrt, im Verteidigungsbereich,...

