Darstellung der Eigenschaften des Geräts
Der horizontale Ofen für die chemische Gasphasenabscheidung (SiC, BN) kann für die Oberflächenbeschichtung von Materialien, die Veränderung von Substraten, die Herstellung von Verbundwerkstoffen usw. verwendet werden. Hauptsächlich verwendet für Wärmedämmschichten, epitaktische Waferbasen, Hochtemperatur-Feuerfestmaterialien für Kristallöfen, Heißbiegeformen, Halbleitertiegel, Verbundwerkstoffe auf Keramikbasis usw.
Technische Merkmale der horizontalen CVD-Ofenanlage für die chemische Gasphasenabscheidung (SiC, BN)
1. Durch den Einsatz fortschrittlicher Steuerungstechnik können Durchfluss und Druck von MTS präzise gesteuert werden, der Abscheidegasfluss im Ofen ist stabil und die Druckschwankungsbreite ist gering;
2. Vollständig geschlossene Ablagerungskammer, gute Abdichtung Wirkung, starke Anti-Verschmutzung Fähigkeit;
3. Multi-Channel-Prozess Gasweg, einheitliche Strömungsfeld, keine Ablagerung tote Ecke, gute Ablagerung Wirkung;
4. Mehrstufiges hocheffizientes Abgasbehandlungssystem, das hochkorrosive Abgase, brennbare und explosive Gase, feste Stäube und viskose Produkte mit niedrigem Schmelzpunkt effektiv behandeln kann und umweltfreundlich ist;
5. Optional neu gestaltete Anti-Korrosions-Vakuum-Einheit, lange kontinuierliche Arbeitszeit, extrem niedrige Wartungsrate;
Verwendete Prozessatmosphäre: Vakuum/CH4/H2/N2/Ar/BCI3/NH3/MTS.
Konfigurationsmöglichkeiten für horizontale Öfen zur chemischen Gasphasenabscheidung (SiC, BN)
Bauform: horizontal - Einzeltür/Doppeltür; vertikal - oberer Auslauf/unterer Auslauf
Türverriegelungsmethode: manuell/automatisch
Material des Gehäuses: Innenschicht aus Edelstahl/vollständig aus Edelstahl
Isoliermaterial: Kohlenstofffilz/Graphitfilz/Kohlenstofffasergehärteter Filz/Keramikfaserfilz
Heizgerät, Muffelmaterial: Graphit/CFC/Metall
Thermoelement: K/N/C/S Teilungsnummer
Vakuumpumpe: mechanischer Pumpensatz/korrosionsbeständiger Pumpensatz
| Parameter Modell | GSTCVD900-SIC | GSTCVD1500-SIC | GSTCVD2000-SIC | GSTCVD3000-SIC | GSTCVD3500-SIC |
| Arbeitsbereich B×H×L (mm) | 600×600×900 | 1000×1000×1500 | 1200×1200×2000 | 1500×1500×3000 | 2500×2000×3500 |
| Höchsttemperatur (℃) | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 | 1500 |
| Temperaturgleichmäßigkeit (℃) | ±7.5 | ±7.5 | ±10 | ±10 | ±10 |
| Ultimatives Vakuum (Pa) | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
| Druckanstiegsrate (Pa/h) | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
| Heizmethode | Widerstandsheizung | Widerstandsheizung | Widerstandsheizung | Widerstandsheizung | Widerstandsheizung |
Ähnliche Produkte
Beherrschung von Kerntechnologien in der additiven Fertigung und Oberflächenbehandlung von Hochleistungsmetallen


















