Zařízení pro chemické napařování (CVD)

Poskytovat komplexní řešení na míru pro vysoce výkonná aditivní výroba kovů a povrchová úprava dle potřeb zákazníka, abychom splnili jejich vyšší nároky na pokročilé výrobní technologie

Kategorie vybavení

Kontaktujte nás

+86 15184414088+86 15184414088+86 15184414088[email protected]
Zařízení pro nanášení plynné fáze organokovových látek GSTXCVD MOCVD

Zařízení pro nanášení plynné fáze organokovových látek GSTXCVD MOCVD

Zařízení MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) se používá především pro epitaxní růst složených polovodičových materiálů, jako jsou GaN, GaAs a InP. Díky přesnému...

GSTXCVD VHTCVD Vakuové vysokoteplotní CVD zařízení

GSTXCVD VHTCVD Vakuové vysokoteplotní CVD zařízení

Vakuová vysokoteplotní CVD pec používá vysokoteplotní chemické napařování k nanášení různých tenkých vrstev na povrch obrobku. Je to...

Zařízení pro nízkotlaké chemické napařování GSTXCVD LPCVD

Zařízení pro nízkotlaké chemické napařování GSTXCVD LPCVD

Zařízení pro nízkotlaké chemické napařování LPCVD (vědecký výzkum LPCVD) nanáší různé funkční vrstvy (především Si₃N₄, SiO₂ a polykřemíkové vrstvy) na substráty chemickou reakcí....

Zařízení pro plazmově vylepšenou chemickou depozici z plynné fáze GSTXCVD PECVD

Zařízení pro plazmově vylepšenou chemickou depozici z plynné fáze GSTXCVD PECVD

Zařízení pro plazmou zesílenou chemickou depozici z par PECVD se používá hlavně pro růst tenkých vrstev nitridu křemíku a oxidu křemíku v čistém vakuu...

Zařízení pro chemické napařování horkým drátem GSTXCVD HFCVD

Zařízení pro chemické napařování horkým drátem GSTXCVD HFCVD

Vyvinuli jsme, navrhli a vyrábíme zařízení pro CVD diamantů s horkým drátem, které se dělí na dva typy: experimentální zařízení a výrobní zařízení. Zařízení je...

GSTXCVD CVD/PECVD depoziční zařízení

GSTXCVD CVD/PECVD depoziční zařízení

CVD označuje reakci v plynné fázi při vysoké teplotě, jako je tepelný rozklad halogenidů kovů, organických kovů, uhlovodíků atd., redukce vodíku nebo...

Zařízení GSTCVD-SiC(BN) pro horizontální chemické nanášení z plynné fáze (SiC, BN)

Zařízení GSTCVD-SiC(BN) pro horizontální chemické nanášení z plynné fáze (SiC, BN)

Horizontální pec pro chemické napařování (SiC, BN) lze použít pro povrchovou úpravu materiálů, modifikaci substrátu, přípravu kompozitních materiálů atd. Používá se hlavně při tepelném...

Čtvercová, kulatá, vertikální nebo horizontální konstrukce (nestandardní provedení a úpravy) GST-CVD1600 indukční ohřev CVD chemikálie

Čtvercová, kulatá, vertikální nebo horizontální konstrukce (nestandardní provedení a úpravy) Zařízení pro indukční ohřev CVD a chemické napařování z plynné fáze GST-CVD1600

Pec pro chemické napařování CVD je důležitým zařízením pro výrobu C/C kompozitních materiálů, které se hojně využívají v leteckém a obranném průmyslu,...

Zařízení pro indukční ohřev CVD pecí pro chemické nanášení z plynné fáze GST-CVD1200

Zařízení pro indukční ohřev CVD pecí pro chemické nanášení z plynné fáze GST-CVD1200

Pec pro chemické napařování CVD je důležitým zařízením pro výrobu C/C kompozitních materiálů, které se hojně využívají v leteckém a obranném průmyslu,...