A CVD refere-se a uma reação em fase gasosa a alta temperatura, como a decomposição térmica de halogenetos metálicos, metais orgânicos, hidrocarbonetos, etc., a redução de hidrogénio ou um método de fazer reagir quimicamente o seu gás misto a alta temperatura para precipitar materiais inorgânicos, como metais, óxidos e carbonetos. Esta tecnologia foi inicialmente desenvolvida como um método de revestimento, mas não é apenas utilizada para revestimentos de materiais resistentes ao calor, mas também para a refinação de metais de elevada pureza, síntese de pós, películas de semicondutores, etc. Trata-se de um domínio técnico muito caraterístico.

PECVD: Consiste em ionizar o gás que contém os átomos que constituem a película com a ajuda de micro-ondas ou radiofrequências, formando localmente um plasma. O plasma é muito ativo quimicamente e reage facilmente para depositar a película desejada no substrato. A fim de permitir que a reação química se processe a uma temperatura mais baixa, a atividade do plasma é utilizada para promover a reação, pelo que esta CVD é designada por deposição de vapor químico enriquecida com plasma (PECVD).