CVD mengacu pada reaksi fase gas pada suhu tinggi, seperti dekomposisi termal halida logam, logam organik, hidrokarbon, dll., reduksi hidrogen atau metode yang menyebabkan gas campuran bereaksi secara kimiawi pada suhu tinggi untuk mengendapkan bahan anorganik seperti logam, oksida, dan karbida. Teknologi ini pada awalnya dikembangkan sebagai metode pelapisan, tetapi tidak hanya digunakan untuk pelapisan bahan tahan panas, tetapi juga untuk pemurnian logam dengan kemurnian tinggi, sintesis serbuk, film semikonduktor, dll. Ini adalah bidang teknis yang sangat khas.

PECVD: Proses ini mengionisasi gas yang mengandung atom-atom yang membentuk film dengan bantuan gelombang mikro atau frekuensi radio, dan membentuk plasma secara lokal. Plasma sangat aktif secara kimiawi dan mudah bereaksi untuk mendepositkan film yang diinginkan pada substrat. Untuk memungkinkan reaksi kimia berlangsung pada suhu yang lebih rendah, aktivitas plasma digunakan untuk mendorong reaksi, sehingga CVD ini disebut deposisi uap kimia yang ditingkatkan plasma (PECVD).